扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)的概念最早由德國(guó)英飛凌提出,自2016 年以來(lái),業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30
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大尺寸硅晶圓槽式清洗機(jī)的參數(shù)化設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程,它涉及多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的優(yōu)化與協(xié)同工作,以確保清洗效果、設(shè)備穩(wěn)定性及生產(chǎn)效率。以下是對(duì)這一設(shè)計(jì)過(guò)程的詳細(xì)闡述:清洗對(duì)象適配性晶圓尺寸與厚度兼容性
2025-12-17 11:25:31
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到目前為止,我們已經(jīng)了解了如何將芯片翻轉(zhuǎn)焊接到具有 FR4 核心和有機(jī)介電薄膜的封裝基板上,也看過(guò)基于 RDL的晶圓級(jí)封裝技術(shù)。所謂2.1D/2.3D 封裝技術(shù),是將 Flip-Chip 與類似
2025-11-27 09:38:00
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本文聚焦晶圓級(jí)封裝 Bump 制作中錫膏與助焊劑的核心應(yīng)用,以焊料印刷法、植球法為重點(diǎn)展開(kāi)。印刷法中,錫膏是凸點(diǎn)主體,需依凸點(diǎn)尺寸選 6/7 號(hào)超細(xì)粉,助焊劑融入其中實(shí)現(xiàn)氧化清除與潤(rùn)濕;植球法里錫膏
2025-11-22 17:00:02
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在半導(dǎo)體芯片的精密制造流程中,晶圓從一片薄薄的硅片成長(zhǎng)為百億晶體管的載體,需要經(jīng)歷數(shù)百道工序。在半導(dǎo)體芯片的微米級(jí)制造流程中,晶圓的每一次轉(zhuǎn)移和清洗都可能影響最終產(chǎn)品良率。特氟龍(聚四氟乙烯)材質(zhì)
2025-11-18 15:22:31
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在半導(dǎo)體制造的精密工藝鏈條中,芯片切割作為晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)演進(jìn)與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良率與性能表現(xiàn);框架內(nèi)貼片作為連接芯片與封裝體的核心環(huán)節(jié),其技術(shù)實(shí)施直接影響器件的電性能、熱管理及可靠性表現(xiàn)。
2025-11-05 17:06:29
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專業(yè)車載系統(tǒng)半導(dǎo)體無(wú)晶圓企業(yè)Telechips正式推出集成半導(dǎo)體芯片與內(nèi)存的系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP,System-in-Package)模塊產(chǎn)品,加速車載半導(dǎo)體市場(chǎng)的革新。Telechips計(jì)劃超越單一芯片供應(yīng)模式,通過(guò)提供軟硬件結(jié)合的高附加值解決方案,同時(shí)為客戶實(shí)現(xiàn)成本降低、開(kāi)發(fā)周期縮短與品質(zhì)提升。
2025-11-05 16:05:23
324 越來(lái)越薄、晶圓尺寸越來(lái)越大、芯片之間的線寬、切割槽以及芯片尺寸逐漸微縮,這對(duì)劃切技術(shù)提出更加苛刻的要求。高穩(wěn)定性、高精度、高效率與智能化已成為劃片機(jī)的核心標(biāo)桿。對(duì)
2025-10-30 17:01:15
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及方案,構(gòu)建了商機(jī)璀璨的照明采購(gòu)平臺(tái)。杭州數(shù)智光科技“小龍”羅萊迪思重磅亮相,以光科技解決方案為全球照明市場(chǎng)注入澎湃活力?,F(xiàn)場(chǎng),來(lái)自意大利、瑞士等歐洲國(guó)家,美國(guó)、加拿
2025-10-28 11:24:20
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在晶圓級(jí)封裝(WLP)中,Bump 凸點(diǎn)是芯片與基板互連的關(guān)鍵,主流實(shí)現(xiàn)方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發(fā) / 濺射法、球放置法四類,差異顯著。選型需結(jié)合凸點(diǎn)密度、成本預(yù)算與應(yīng)用特性,平衡性能與經(jīng)濟(jì)性。
2025-10-23 14:49:14
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的長(zhǎng)期合作代理商,浮思特科技今天將與大家介紹,它如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,將專業(yè)熱成像能力裝入你的口袋。晶圓級(jí)封裝:微型化背后的核心技術(shù)邁瑞迪Xpro最引人注目的特點(diǎn)莫過(guò)于
2025-10-23 09:39:06
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在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:13
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一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ??偤穸绕睿═TV)的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而,隨著晶圓
2025-10-17 13:40:01
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關(guān)于晶圓和芯片哪個(gè)更難制造的問(wèn)題,實(shí)際上兩者都涉及極高的技術(shù)門檻和復(fù)雜的工藝流程,但它們的難點(diǎn)側(cè)重不同。以下是具體分析:晶圓制造的難度核心材料提純與單晶生長(zhǎng)超高純度要求:電子級(jí)硅需達(dá)到
2025-10-15 14:04:54
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一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展,3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì),成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度
2025-10-14 15:24:56
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晶圓級(jí)封裝(WLP)與多芯片組件(MCM)作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”,前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線與凸點(diǎn)制作,以“封裝即制造”實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)尺寸、70 μm以下超細(xì)間距與電熱性能躍升;后者把多顆已驗(yàn)證
2025-10-13 10:36:41
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近日,廣立微自主研發(fā)的首臺(tái)專為碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件設(shè)計(jì)的晶圓級(jí)老化測(cè)試系統(tǒng)——WLBI B5260M正式出廠。該設(shè)備的成功推出,將為產(chǎn)業(yè)鏈提供了高效、精準(zhǔn)的晶圓級(jí)可靠性篩選解決方案,助推化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成熟與發(fā)展。
2025-09-17 11:51:44
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在半導(dǎo)體制造中,不同尺寸的晶圓對(duì)甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速需求存在差異,但通常遵循以下規(guī)律:小尺寸晶圓(如≤8英寸)這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,可采用較高的轉(zhuǎn)速進(jìn)行離心甩干。常見(jiàn)范圍為3000–10000
2025-09-17 10:55:54
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等核心運(yùn)算進(jìn)行硬件加速優(yōu)化,在圖像識(shí)別、自然語(yǔ)言處理等任務(wù)中展現(xiàn)出卓越的實(shí)時(shí)性。然而,傳統(tǒng)FPGA在功耗、尺寸和系統(tǒng)集成度上的局限性,使其難以滿足邊緣計(jì)算、工業(yè)機(jī)器人等對(duì)能效和緊湊性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景。 ? 萊迪思推出的Lattice NexusT
2025-09-16 14:35:17
5435 本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求攀升的當(dāng)下,其封裝技術(shù)正加速向晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝演進(jìn)——通過(guò)縮小體積、提升集成效率,滿足設(shè)備小型化與高性能的雙重需求。
2025-09-05 09:45:40
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MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過(guò)程中,整個(gè)硅晶圓表面通過(guò)電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級(jí)和圖形化特性:它能在同一時(shí)間對(duì)晶圓上的成千上萬(wàn)個(gè)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行批量加工,極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性,是實(shí)現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:28
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晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢(shì),已成為移動(dòng)、可穿戴及 IoT 終端中低 I/O(< 400 bump)、小面積(≤ 6 mm × 6 mm)器件的首選
2025-08-28 13:46:34
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在存儲(chǔ)芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片(Die)的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵?duì)于高容量3DNAND),傳統(tǒng)劃片工藝帶來(lái)
2025-08-08 15:38:06
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.6 至 3.0 GHz 雙通道 SPST (2xSPST) 并聯(lián)開(kāi)關(guān)(兩位控制),采用 WLCSP 封裝相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.6 至 3.0 GHz 雙通道
2025-08-04 18:33:38

在芯片制造的最后環(huán)節(jié),裸片(Die)需要穿上“防護(hù)鎧甲”——既要抵抗物理?yè)p傷和化學(xué)腐蝕,又要連接外部電路,還要解決散熱問(wèn)題。封裝工藝的進(jìn)化核心,是如何更高效地將硅片轉(zhuǎn)化為功能芯片。
2025-08-01 09:22:20
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()采用 WLCSP 封裝的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有采用 WLCSP 封裝的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)的引腳圖、接線圖、封裝
2025-07-31 18:34:48

格羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項(xiàng)目晶圓(multi-project wafer, MPW),計(jì)劃通過(guò)將多個(gè)芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目集成于同一片晶圓上,助力客戶將差異化芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品,同時(shí)無(wú)需承擔(dān)測(cè)試硅片的成本限制。
2025-07-26 15:27:04
946 晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異,主要源于其表面積、厚度、機(jī)械強(qiáng)度、污染特性及應(yīng)用場(chǎng)景的不同。以下是針對(duì)不同晶圓尺寸(如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等)的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點(diǎn):一、晶圓
2025-07-22 16:51:19
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▲“光·X”2025羅萊迪思路演上海站活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)7月8日,以“光·X”為主題的2025羅萊迪思路演在上海圓滿舉行。羅萊迪思董事長(zhǎng)王忠泉攜國(guó)內(nèi)各領(lǐng)域營(yíng)銷事業(yè)部總經(jīng)理、智慧城市架構(gòu)師與相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專家
2025-07-14 10:24:31
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錫膏在晶圓級(jí)封裝中易遇印刷橋連 空洞、回流焊焊點(diǎn)失控、氧化、設(shè)備精度不足等問(wèn)題。解決問(wèn)題需平衡工藝參數(shù),同時(shí)設(shè)備也需要做精細(xì)調(diào)準(zhǔn)。
2025-07-03 09:35:00
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晶圓級(jí)封裝含扇入型、扇出型、倒裝芯片、TSV 等工藝。錫膏在植球、凸點(diǎn)制作、芯片互連等環(huán)節(jié)關(guān)鍵:扇入 / 扇出型植球用錫膏固定錫球;倒裝芯片用其制作凸點(diǎn);TSV 堆疊靠其實(shí)現(xiàn)垂直連接。應(yīng)用依賴鋼網(wǎng)
2025-07-02 11:53:58
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晶圓級(jí)封裝中,錫膏是實(shí)現(xiàn)電氣連接與機(jī)械固定的核心材料,廣泛應(yīng)用于凸點(diǎn)制作、植球工藝及芯片 - 基板互連等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。主流采用 SAC 系、Sn-Cu 系、Sn-Bi 系等無(wú)鉛錫膏,需滿足高精度印刷、優(yōu)異潤(rùn)濕性、高可靠性及低殘留等嚴(yán)苛要求。
2025-07-02 11:16:52
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了解晶圓級(jí)封裝如何進(jìn)一步提高芯片的連接密度,為后續(xù)技術(shù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
2025-06-27 16:51:51
614 LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(萊迪思),F(xiàn)PGA器件 LFE5U-25F-7BG256I,LATTICE(萊迪思),危芯練戲:依叭溜溜寺山寺依武叭武ECP5
2025-06-26 10:43:51
LFE5U-45F-6BG554C ,LATTICE(萊迪思),F(xiàn)PGA器件 2025-06-26 10:231. 總體描述ECP5?/ECP5-5G? 系列 FPGA 器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能夠
2025-06-26 10:28:47
在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
Analog Devices Inc AD8235 40 μA微功耗儀表放大器采用1.5mm × 2.2mm晶圓級(jí)芯片尺寸封裝 (WLCSP)。 AD8235消耗的最大靜態(tài)電流為40μA。此外,它在關(guān)斷模式下消耗500nA的最大電流。這使該器件成為電池供電的便攜式應(yīng)用理想的儀表放大器。
2025-06-22 17:35:40
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摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用,為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
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晶圓檢測(cè)是指在晶圓制造完成后,對(duì)晶圓進(jìn)行的一系列物理和電學(xué)性能的測(cè)試與分析,以確保其質(zhì)量和性能符合設(shè)計(jì)要求。這一過(guò)程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28
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晶圓級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2025-06-05 16:25:57
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在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下,封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能,更在于應(yīng)對(duì)多元化市場(chǎng)需求的適應(yīng)性突破,本文著力介紹晶圓級(jí)扇入封裝,分述如下。
2025-06-03 18:22:20
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“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過(guò)程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時(shí)),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
2025-05-30 10:38:52
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(2)系統(tǒng)覆蓋襯底切磨拋,光刻/蝕刻后翹曲度檢測(cè),背面減薄厚度監(jiān)測(cè)等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。
晶圓作為半導(dǎo)體工業(yè)的“地基”,其高純度、單晶結(jié)構(gòu)和大尺寸等特點(diǎn),支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰(zhàn)略價(jià)值不僅
2025-05-28 16:12:46
半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代制造業(yè)的核心基石,被譽(yù)為“工業(yè)的糧食”,而晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基板,其質(zhì)量直接決定芯片的性能、良率和可靠性。晶圓隱裂檢測(cè)是保障半導(dǎo)體良率和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。晶圓檢測(cè)通過(guò)合理搭配工業(yè)
2025-05-23 16:03:17
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摘要:本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問(wèn)題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
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圓;TTV;磨片加工;研磨;拋光 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的總厚度偏差(TTV)對(duì)芯片性能、良品率有著直接影響。高精度的 TTV 控制是實(shí)現(xiàn)高性能芯片制造的關(guān)鍵前提。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷向更高精度發(fā)展,傳統(tǒng)磨片加工方法在 TTV 控制上
2025-05-20 17:51:39
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前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
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上 。這種創(chuàng)新的封裝方式自蘋果A10處理器采用后,在節(jié)約主板表面面積方面成效顯著。根據(jù)線路和焊腳與芯片尺寸的關(guān)系,WLP分為Fanin WLP(線路和焊腳限定在芯片尺寸以內(nèi))和Fanout WLP(可擴(kuò)展至芯片尺寸之外,甚至實(shí)現(xiàn)芯片疊層) 。
2025-05-14 11:08:16
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我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package,WLP)。
2025-05-14 10:32:30
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英寸晶圓厚度約為670微米,8英寸晶圓厚度約為725微米,12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成后,晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。
2025-05-09 13:55:51
1975 圓片級(jí)封裝(WLP),也稱為晶圓級(jí)封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序,再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問(wèn)世以來(lái),已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù),深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:36
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隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
項(xiàng)目背景晶圓作為半導(dǎo)體芯片的核心載體,其表面平整度直接影響芯片性能、封裝良率及產(chǎn)品可靠性。傳統(tǒng)接觸式測(cè)量容易導(dǎo)致晶圓劃傷或污染,而常規(guī)光學(xué)傳感器受鏡面反射干擾難以實(shí)現(xiàn)高精度檢測(cè)。深視智能SCI系列點(diǎn)
2025-04-21 08:18:31
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漢思新材料HS711是一種專為板卡級(jí)芯片底部填充封裝設(shè)計(jì)的膠水。HS711填充膠主要用于電子封裝領(lǐng)域,特別是在半導(dǎo)體封裝中,以提供機(jī)械支撐、應(yīng)力緩沖和保護(hù)芯片與基板之間的連接免受環(huán)境因素的影響。漢思
2025-04-11 14:24:01
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在之前文章如何計(jì)算芯片(Die)尺寸?中,討論了Die尺寸的計(jì)算方法,在本文中,將討論如何預(yù)估一個(gè)晶圓中有多少Die,也就是DPW(Die per Wafer)。
2025-04-02 10:32:38
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隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速、低成本的可靠性評(píng)估,成為工藝開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵工具。
2025-03-26 09:50:16
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芯片制造的畫布 芯片制造的畫布:晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上,晶圓(Wafer)扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布,承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想,見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:25
1542 nRF54L15 是 nRF54L 系列的首款系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC)。它是一款超低功耗藍(lán)牙 5.4 SoC,具有同類最佳的新型多協(xié)議無(wú)線電和先進(jìn)的安全功能。nRF54L 系列以更緊湊的封裝將廣受歡迎
2025-03-05 18:17:29
紅外探測(cè)器作為紅外熱像儀的核心部件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、安防、醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,紅外探測(cè)器的封裝形式也在不斷發(fā)展和完善。其中,晶圓級(jí)、陶瓷級(jí)和金屬級(jí)封裝是三種最常見(jiàn)的封裝形式,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),適用于不同的場(chǎng)景。
2025-03-05 16:43:22
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封裝領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。普萊信同時(shí)在和某全球最領(lǐng)先的封裝廠,某全球領(lǐng)先的功率器件公司就XBonder Pro在晶圓級(jí)封裝的應(yīng)用開(kāi)展合作。 芯片的轉(zhuǎn)移是晶圓級(jí)封裝和板級(jí)封裝的核心工序,由于高端的板級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝需要在貼片完成后,進(jìn)行RDL等工藝,
2025-03-04 11:28:05
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實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn),探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
2025-03-04 10:52:57
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近日,經(jīng)國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)評(píng)估,羅萊迪思通過(guò)全球軟件領(lǐng)域高級(jí)別CMMI成熟度5級(jí)評(píng)估認(rèn)證,并榮獲CMMI5級(jí)證書。這一里程碑式的成就,不僅彰顯了羅萊迪思在軟件研發(fā)領(lǐng)域的實(shí)力,也標(biāo)志著公司在項(xiàng)目管理
2025-02-26 15:33:52
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隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高,對(duì)精確可靠的晶圓測(cè)試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用,到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM),在晶圓級(jí)確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。
2025-02-17 13:51:16
1331 近日,萊迪思半導(dǎo)體公司(LSCC)發(fā)布了其202X年四季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示,公司在該季度的調(diào)整后每股收益(EPS)為0.15美元,略低于分析師預(yù)期的0.19美元。然而,在營(yíng)收方面,萊迪思半導(dǎo)體
2025-02-11 16:06:49
738 Dicing 是指將制造完成的晶圓(Wafer)切割成單個(gè) Die 的工藝步驟,是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元,Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:49
2943 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《WLCSP22 SOT8086晶片級(jí)芯片尺寸封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-11 14:17:26
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT1381-2晶圓級(jí)芯片尺寸封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 17:30:43
0 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
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在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的今天,大尺寸晶圓的高效制備成為推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導(dǎo)體材料中,金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異電學(xué)性質(zhì),被視為 “終極半導(dǎo)體”,在電真空器件、高頻
2025-02-07 09:16:06
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晶圓,作為芯片制造的基礎(chǔ)載體,其表面平整度對(duì)于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
2025-01-24 10:06:02
2134 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32G401系列芯片關(guān)鍵特性,定貨型號(hào)及資源,封裝尺寸等信息.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:41:51
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32G4FR系列芯片關(guān)鍵特性,定貨型號(hào)及資源,封裝尺寸等信息.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:15:10
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32G455系列芯片關(guān)鍵特性定貨型號(hào)及資源,封裝尺寸等信息.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:09:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N32WB03x系列芯片關(guān)鍵特性,定貨型號(hào)及資源,封裝尺寸等信息.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:04:53
0 扇出型晶圓級(jí)中介層封裝( FOWLP)以及封裝堆疊(Package-on-Package, PoP)設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì),例如低功耗、短信號(hào)路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外,它還
2025-01-22 14:57:52
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在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW(彎曲度)的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
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變硬件的情況下,通過(guò)軟件編程來(lái)改變其功能。這種靈活性使得PLD芯片在快速原型開(kāi)發(fā)、小批量生產(chǎn)和現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。 2. PLD芯片的基本結(jié)構(gòu) PLD芯片的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個(gè)部分: 可編程邏輯單元(Logic Elements, LEs) :這些是PLD芯片中的基本構(gòu)建
2025-01-20 09:36:46
1532 ? 本文介紹了封裝工藝簡(jiǎn)介及元器件級(jí)封裝設(shè)備有哪些。 概述 電子產(chǎn)品制造流程涵蓋半導(dǎo)體元件制造及整機(jī)系統(tǒng)集成,以晶圓切割成芯片為分界,大致分為前期工序與后期工序,如圖所示。后期工序主要包含芯片封裝
2025-01-17 10:43:06
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過(guò)光刻、蝕刻、摻雜等一系列前端復(fù)雜工序后,在其表面形成了眾多微小且功能完整的芯片單元。劃片機(jī)通過(guò)精確控制的切割刀具,沿著芯片之間預(yù)先設(shè)計(jì)好的切割道進(jìn)行切割,將晶圓分割
2025-01-14 19:02:25
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???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主要由三部分組成,左邊為電學(xué)檢測(cè)探針臺(tái)阿波羅
2025-01-14 09:29:13
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第一個(gè)工藝過(guò)程:晶圓及其制造過(guò)程。 ? 為什么晶圓制造如此重要 隨著技術(shù)進(jìn)步,晶圓的需求量持續(xù)增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)硅片尺寸主流為100mm、150mm和200mm,硅片直徑的增大會(huì)導(dǎo)致降低單個(gè)芯片制造成本的降低,所以目前300mm硅片的需求量也在
2025-01-09 09:59:26
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? 1、不同型號(hào)的8寸晶圓清洗機(jī),其清洗槽的尺寸可能會(huì)有所不同。例如,某些設(shè)備可能具有較大的清洗槽以容納更多的晶圓或提供更復(fù)雜的清洗工藝。 2、不同的制造商在設(shè)計(jì)8寸晶圓清洗機(jī)時(shí),可能會(huì)根據(jù)其技術(shù)特點(diǎn)、市場(chǎng)需求和客戶反
2025-01-07 16:08:37
569 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。晶圓級(jí)封裝技術(shù)以其高密度、高可靠性、小尺寸
2025-01-07 11:21:59
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近期,萊迪思成功舉辦了其年度開(kāi)發(fā)者大會(huì),吸引了全球超過(guò)6000名行業(yè)精英、技術(shù)專家和技術(shù)愛(ài)好者共襄盛舉。此次盛會(huì)聚焦于低功耗FPGA解決方案的最新進(jìn)展,旨在探索可編程技術(shù)的無(wú)限可能。 為期兩天
2025-01-07 11:08:42
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評(píng)論